AOB4S60L
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB4S60L
| Artikelnummer: | AOB4S60L |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 4A TO263 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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-
Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB4S60L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments AOB4S60L.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak) Serie aMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2A, 10V Verlustleistung (max) 83W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 263 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc) Grundproduktnummer AOB4S60 AOB4S60L Einzelheiten PDF [English] AOB4S60L PDF - EN.pdf -
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