AOB4S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Deutsch
Artikelnummer: | AOB4S60L |
---|---|
Hersteller / Marke: | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 4A TO263 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
800+ | $0.8858 |
1600+ | $0.6993 |
2400+ | $0.6527 |
5600+ | $0.6201 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263 (D2Pak) |
Serie | aMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2A, 10V |
Verlustleistung (max) | 83W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 263 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Tc) |
Grundproduktnummer | AOB4S60 |
AOB4S60L Einzelheiten PDF [English] | AOB4S60L PDF - EN.pdf |
IGBT 600V 10A 82.4W TO263
AOB482 AOS
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
AOB480 AOS
AOS TO-263
AO TO-263
MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO263
N
MOSFET N-CH 600V 8A TO263
MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO263
MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263
MOSFET N-CH 80V 15A/180A TO263
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
N
MOSFET N-CH 800V TO-263
AOS TO-263
IGBT 650V 5A TO263
AOB4S60 AOS
MOSFET N-CH 75V 10A/100A TO263
AOB470 AOS
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() AOB4S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc. |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|